Обозначения и классификация отечественных п/п приборов
На данный момент в нашей стране используется система обозначения полупроводниковых приборов, установленная отраслевым стандартом ОСТ 11.336.919-81. Согласно данной системе устанавливается система классификации и обозначений состоящая из пяти элементов.
Первый элемент (буква или цифра) - обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:
Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).
Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.
Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.
Первый элемент (буква или цифра) - обозначает исходный полупроводниковый материал, на базе которого создан полупроводниковый прибор. Для приборов общегражданского применения используются буквы Г, К, А и И, являющиеся начальными буквами в названии полупроводникового материала. Для приборов специального применения (более высокие требования при испытаниях, например выше температура,) вместо этих букв используются цифры от 1 до 4:
| Исходный материал | Обозначение |
| Германий | Г или 1 |
| Кремний | К или 2 |
| Соединения галлия (например, арсенид галлия) | А или 3 |
| Соединения индия (например, фосфид индия) | И или 4 |
Второй элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. Обычно буква выбирается из названия прибора, как первая буква названия (таблица ниже).
Третий элемент – цифра, в обозначении полупроводниковых приборов, определяет основные функциональные возможности прибора. У различных подклассов приборов наиболее характерные эксплутационные параметры (функциональные возможности) различные. В таблице ниже приведены значения цифр в третьем элементе условных обозначений для различного класса полупроводниковых приборов.
| Подкласс приборов | Основные функциональные возможности прибора | ||
| Наименование | Обозначение | Наименование | Обозначение |
| СВЧ диоды | А | смесительные детекторные модуляторные параметрические переключательные и ограничительные умножительные и настроечные генераторные | 1 2 3 4 5 6 7 |
| Варикапы | В | Подстроечные Умножительные (варакторы) | 1 2 |
| Генераторы шума | Г | Низкочастотные Высокочастотные | 1 2 |
| Диоды выпрямительные, универсальные, импульсные | Д | Диоды выпрямительные с прямым током менее 0.3 А | 1 |
| Диоды выпрямительные с прямым током 0.3-10 А | 2 | ||
| Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды, и др.) | 3 | ||
| Диоды импульсные, с временем восстановления более 500 нс | 4 | ||
| Диоды импульсные, с временем восстановления 150-500 нс | 5 | ||
| Диоды импульсные, с временем восстановления 30-150 нс | 6 | ||
| Диоды импульсные, с временем восстановления 5-30 нс | 7 | ||
| Диоды импульсные, с временем восстановления 1-5 нс | 8 | ||
| Диоды импульсные, с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс | 9 | ||
| Туннельные и обращённые диоды | И | Усилительные Генераторные Переключательные Обращённые | 1 2 3 4 |
| Излучающие оптоэлектронные приборы | Л | Инфракрасные излучающие диоды Инфракрасные излучающие модули Светоизлучающие диоды Знаковые индикаторы Знаковые табло Шклаы Экраны | 1 2 3 4 5 6 7 |
| Тиристоры диодные | Н | ||
| Оптопары | О | Резисторные Диодные Тиристорные Транзисторные | Р Д У Т |
| Транзисторы полевые | П | Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощностью не более 0.3 Вт | 1 |
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт | 2 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт | 3 | ||
| Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощность 0.3-1.5 Вт | 4 | ||
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт | 5 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт | 6 | ||
| Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощность >1.5 Вт | 7 | ||
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт | 8 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт | 9 | ||
| Стабилитроны | С | Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В | 1 |
| Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В | 2 | ||
| Мощностью менее 0.3 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В | 3 | ||
| Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В | 4 | ||
| Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В | 5 | ||
| Мощностью 3-5 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В | 6 | ||
| Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации менее 10 В | 7 | ||
| Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации 10-100 В | 8 | ||
| Мощностью 5-10 Вт, с напряжением стабилизации более 100 В | 9 | ||
| Транзисторы биполярные | Т | Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощностью не более 0.3 Вт | 1 |
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт | 2 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощностью не более 0.3 Вт | 3 | ||
| Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощность 0.3-1.5 Вт | 4 | ||
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт | 5 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность 0.3-1.5 Вт | 6 | ||
| Низкой частоты (Fгр<3 МГЦ), мощность >1.5 Вт | 7 | ||
| Средней частоты (Fгр=3-30 МГц), мощность >1.5 Вт | 8 | ||
| ВЧ и СВЧ (Fгр>30 МГц), мощность >1.5 Вт | 9 | ||
| Тиристоры триодные | У | Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) | 1 |
| Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) | 2 | ||
| Незапираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) | 7 | ||
| Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) | |||
| Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) | |||
| Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) | |||
| Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии менее 0.3 А (с максимальным импульсным током менее 15 А) | 5 | ||
| Симметричные, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии 0.3-10 А (с максимальным импульсным током 15-100 А) | 6 | ||
| Запираемые, с максимальным допустимым средним током в открытом состоянии более 10 А (с максимальным импульсным током более 100 А) | 9 | ||
| Выпрямительные столбы и блоки | Ц | Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока не более 0.3 А | 1 |
| Выпрямительные столбы со средним значением прямого тока от 0.3 до 10 А | 2 | ||
| Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока не более 0.3 А | 3 | ||
| Выпрямительные блоки со средним значением прямого тока более 0.3 А | 4 | ||
Четвертый элемент – две либо три цифры, означает порядковый номер технологической разработки, и изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент – буква, в буквенно-цифровом коде системы условных обозначений указывает разбраковку по отдельным параметрам приборов, изготовленных в единой технологии. Для обозначения используются заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.