Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 1Т8ххх являются аналогами транзисторов ГТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.
Uкб(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
Uкэ(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
Iкmax(и) | максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток) |
Pкmax(т) | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода) |
h21э | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
Iко | обратный ток коллектора |
fгр | граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
Кш | коэффициент шума |
Выбор по параметрам: | ||
N-P-N | Кш не более: Дб | Iко не более: мкА |
P-N-P | fгр не менее: МГц |
Наимен. | тип | Uкб(и),В | Uкэ(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iко, мкА | fгр., МГц не менее | Кш, Дб не более |
ГТ806А | p-n-p | 75 | 75 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
ГТ806Б | p-n-p | 100 | 100 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
ГТ806В | p-n-p | 120 | 120 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
ГТ806Г | p-n-p | 50 | 50 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
ГТ806Д | p-n-p | 140 | 140 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
ГТ813А | p-n-p | 100 | 100 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |
ГТ813А | p-n-p | 125 | 125 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |
ГТ813А | p-n-p | 150 | 150 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |