Параметры транзисторов серии КТ7ххх (2Т7ххх)

Обозначения:
Uкб(и) максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
Uкэ(и) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
Iкmax(и) максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток)
Pкmax(т) максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода)
h21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iко обратный ток коллектора
fгр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш коэффициент шума

Выбор по параметрам:
N-P-N
Кш не более: ДбIко не более: мкА
P-N-P
fгр не менее: МГц

Наимен. тип Uкб(и),В Uкэ(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iко, мкА fгр., МГц
не менее		 Кш, Дб
не более
КТ704Аn-p-n 500250010-
КТ708Аp-n-p 802500500-
КТ709Аp-n-p 8010000500-
КТ709А2p-n-p 8010000500-
КТ710Аn-p-n 300050003-
КТ712Аp-n-p 16010000500-
КТ713Аn-p-n 9003000>5-
КТ715Аn-p-n 50002000>150.45-
КТ716Аn-p-n 8010000750-
КТ716А1n-p-n 8010000500-
КТ717Аn-p-n 40010000>20-
КТ718Аn-p-n 40010000-
КТ719Аn-p-n 1001500>20-
КТ720Аp-n-p 1001500>20-
КТ721Аn-p-n 1001500>20-
КТ722Аp-n-p 1001500>20-
КТ723Аn-p-n 10010000>20-
КТ724Аp-n-p 10010000>20-
КТ728Аp-n-p 7015000-
КТ729Аn-p-n 7015000-
КТ734Гn-p-n 1003000>103-
КТ735Гp-n-p 1003000>103-
КТ736Гn-p-n 1006000>153-
КТ737Гp-n-p 1006000>153-
2Т745Аp-n-p 40600020 ... 200-
2Т746А9(А91)p-n-p 100300010 ... 100-
2Т747А9(А91)n-p-n 100300020 ... 180-

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием.
Обозначения 2Т7ххх эквивалентны КТ7ххх, отличие в более жёсткоё приёмке, однако параметры для обоих типов транзисторов чаще всего аналогичны.





ˆ