Параметры транзисторов серии КТ5ххх (2Т5ххх)
Обозначения:
| Uкб(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
| Uкэ(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
| Iкmax(и) | максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток) |
| Pкmax(т) | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода) |
| h21э | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iко | обратный ток коллектора |
| fгр | граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Кш | коэффициент шума |
| Выбор по параметрам: | ||
| N-P-N | Кш не более: Дб | Iко не более: мкА |
| P-N-P | fгр не менее: МГц | |
| Наимен. | тип | Uкб(и),В | Uкэ(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iко, мкА | fгр., МГц не менее | Кш, Дб не более |
| КТ501А | p-n-p | 15 | 15 | 300(500) | 0.35 | 20-60 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501Б | p-n-p | 15 | 15 | 300(500) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501В | p-n-p | 15 | 15 | 300(500) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 5 | 4 |
| КТ501Г | p-n-p | 30 | 30 | 300(500) | 0.35 | 20-60 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501Д | p-n-p | 30 | 30 | 300(500) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501Е | p-n-p | 30 | 30 | 300(500) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 5 | 4 |
| КТ501Ж | p-n-p | 45 | 45 | 300(500) | 0.35 | 20-60 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501И | p-n-p | 45 | 45 | 300(500) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501К | p-n-p | 45 | 45 | 300(500) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 5 | 4 |
| КТ501Л | p-n-p | 60 | 60 | 300(500) | 0.35 | 20-60 | ≤1 | 5 | - |
| КТ501М | p-n-p | 60 | 60 | 300(500) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 5 | - |
| КТ502А | p-n-p | 40 | 25 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ502Б | p-n-p | 40 | 25 | 150(350) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 350 | - |
| КТ502В | p-n-p | 60 | 40 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ502Г | p-n-p | 60 | 40 | 150(350) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 350 | - |
| КТ502Д | p-n-p | 80 | 60 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ502Е | p-n-p | 90 | 80 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503А | n-p-n | 40 | 25 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503Б | n-p-n | 40 | 25 | 150(350) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503В | n-p-n | 60 | 40 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503Г | n-p-n | 60 | 40 | 150(350) | 0.35 | 80-240 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503Д | n-p-n | 80 | 60 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ503Е | n-p-n | 100 | 80 | 150(350) | 0.35 | 40-120 | ≤1 | 350 | - |
| КТ504А | n-p-n | 400 | 350 | 1000(2000) | 1(10) | 15-100 | ≤100 | 20 | - |
| КТ504Б | n-p-n | 250 | 200 | 1000(2000) | 1(10) | 15-100 | ≤100 | 20 | - |
| КТ504В | n-p-n | 300 | 275 | 1000(2000) | 1(10) | 15-100 | ≤100 | 20 | - |
| КТ505А | p-n-p | 300 | 300 | 1000(2000) | 1(10) | 25-140 | ≤100 | 20 | - |
| КТ505Б | p-n-p | 250 | 250 | 1000(2000) | 1(10) | 25-140 | ≤100 | 20 | - |
| КТ506А | n-p-n | 800 | 800 | 2000(5000) | 0.8(10) | 30-150 | ≤1000 | 10 | - |
| КТ506Б | n-p-n | 600 | 600 | 2000(5000) | 0.8(10) | 30-150 | ≤1000 | 10 | - |
Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием.
Обозначения 2Т5ххх эквивалентны КТ5ххх, отличие в более жёсткоё приёмке, однако параметры для обоих типов транзисторов чаще всего аналогичны.