Параметры транзисторов серии ГТ8ххх (1Т8ххх)
Обозначения:
| Uкб(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
| Uкэ(и) | максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения) |
| Iкmax(и) | максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток) |
| Pкmax(т) | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода) |
| h21э | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iко | обратный ток коллектора |
| fгр | граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Кш | коэффициент шума |
| Выбор по параметрам: | ||
| N-P-N | Кш не более: Дб | Iко не более: мкА |
| P-N-P | fгр не менее: МГц | |
| Наимен. | тип | Uкб(и),В | Uкэ(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h21э | Iко, мкА | fгр., МГц не менее | Кш, Дб не более |
| ГТ806А | p-n-p | 75 | 75 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
| ГТ806Б | p-n-p | 100 | 100 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
| ГТ806В | p-n-p | 120 | 120 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
| ГТ806Г | p-n-p | 50 | 50 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
| ГТ806Д | p-n-p | 140 | 140 | 15000 | 2(30) | 10-100 | ≤15000 | 10 | - |
| ГТ813А | p-n-p | 100 | 100 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |
| ГТ813А | p-n-p | 125 | 125 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |
| ГТ813А | p-n-p | 150 | 150 | 30000(40000) | 1.5(50) | 10-60 | ≤16000 | 5 | - |
Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием.
Обозначения 1Т8ххх эквивалентны ГТ8ххх, отличие в более жёсткоё приёмке, однако параметры для обоих типов транзисторов чаще всего аналогичны.