Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 1Т9ххх являются аналогами транзисторов ГТ9ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.


Обозначения:
Uкб(и) максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
Uкэ(и) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
Iкmax(и) максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток)
Pкmax(т) максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода)
h21э статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iко обратный ток коллектора
fгр граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш коэффициент шума

Выбор по параметрам:
N-P-N
Кш не более: ДбIко не более: мкА
P-N-P
fгр не менее: МГц

Наимен.типUкб(и),ВUкэ(и), ВIкmax(и), мАPкmax(т), Втh21эIко, мкАfгр., МГц
не менее
Кш, Дб
не более
ГТ905Аp-n-p75753000(7000)(6)35-100≤2000060-
ГТ905Бp-n-p60603000(7000)(6)35-100≤2000060-
ГТ906Вp-n-p75756000(15)30-150≤800060-
ГТ906АМp-n-p75756000(15)30-150≤800060-