Транзисторы серии ГТ8ххх (1Т8ххх)

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 1Т8ххх являются аналогами транзисторов ГТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Обозначения:

U_кб(и)	максимально допустимое напряжение коллектор-база (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
U_кэ(и)	максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (в скобках указано значение для импульсного напряжения)
I_кmax(и)	максимально допустимый постоянный ток коллектора (в скобках указан максимальный импульсный ток)
P_кmax(т)	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (в скобках значение максимальной рассеиваемой мощности при наличии теплоотвода)
h_21э	статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
I_ко	обратный ток коллектора
f_гр	граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
К_ш	коэффициент шума

Выбор по параметрам:
N-P-N	К_ш не более: Дб	I_ко не более: мкА
P-N-P	f_гр не менее: МГц

Наимен.	тип	U_кб(и),В	U_кэ(и), В	I_кmax(и), мА	P_кmax(т), Вт	h_21э	I_ко, мкА	f_гр., МГц не менее	К_ш, Дб не более
ГТ806А	p-n-p	75	75	15000	2(30)	10-100	≤15000	10	-
ГТ806Б	p-n-p	100	100	15000	2(30)	10-100	≤15000	10	-
ГТ806В	p-n-p	120	120	15000	2(30)	10-100	≤15000	10	-
ГТ806Г	p-n-p	50	50	15000	2(30)	10-100	≤15000	10	-
ГТ806Д	p-n-p	140	140	15000	2(30)	10-100	≤15000	10	-
ГТ813А	p-n-p	100	100	30000(40000)	1.5(50)	10-60	≤16000	5	-
ГТ813А	p-n-p	125	125	30000(40000)	1.5(50)	10-60	≤16000	5	-
ГТ813А	p-n-p	150	150	30000(40000)	1.5(50)	10-60	≤16000	5	-